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IPB020NE7N3 G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-263-3
數量：: 2042
說明：: MOSFET N-channel POWER MOS

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IPB020NE7N3 G PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：IPB020NE7N3GATMA1 IPB020NE7N3GXT SP000676950
典型關閉延遲時間：70 ns
上升時間：26 ns
功率耗散：300 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：206 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：196 S, 98 S
下降時間：22 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263-3
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
電阻汲極/源極 RDS（導通）：2 mOhms
漏極連續電流：120 A
閘/源擊穿電壓：2.3 V
汲極/源極擊穿電壓：75 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是IPB020NE7N3 G的詳細信息，包括IPB020NE7N3 G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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