色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > IPB023N06N3 G

IPB023N06N3 G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-263
數量：: 2062
說明：: MOSFET OptiMOS3 PWRTrnsistr N-CH

一、本商品被瀏覽0次.

IPB023N06N3 G PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

零件號別名：IPB023N06N3GATMA1 IPB023N06N3GXT SP000453048
典型關閉延遲時間：62 ns
工廠包裝數量：1000
功率耗散：214000 mW
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single Quint Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：2.3 mOhms
漏極連續電流：140 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPB023N06N3 G的詳細信息，包括IPB023N06N3 G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ