色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IPB021N06N3 G

IPB021N06N3 G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-263-3
數(shù)量：: 1908
說明：: MOSFET OptiMOS3 PWRTrnsistr N-CH

一、本商品被瀏覽0次.

IPB021N06N3 G PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：IPB021N06N3GATMA1 IPB021N06N3GXT SP000452248
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：79 ns
工廠包裝數(shù)量：1000
上升時(shí)間：80 ns
功率耗散：250 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：206 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：184 S, 92 S
下降時(shí)間：24 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263-3
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：2.1 mOhms
漏極連續(xù)電流：120 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPB021N06N3 G的詳細(xì)信息，包括IPB021N06N3 G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：