色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > IPB025N10N3GE818XT

IPB025N10N3GE818XT

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO263-7
數量：: 3978
說明：: MOSFET OptiMOS 3 Power Transistor

一、本商品被瀏覽0次.

IPB025N10N3GE818XT PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

零件號別名：E8187 G IPB025N10N3 IPB025N10N3GE8187ATMA1
典型關閉延遲時間：84 ns
上升時間：58 ns
功率耗散：300 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：155 nC
下降時間：28 ns
封裝形式：PG-TO263-7
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：2.5 mOhms at 10 V
漏極連續電流：180 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
制造商：Infineon

以上是IPB025N10N3GE818XT的詳細信息，包括IPB025N10N3GE818XT廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ