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HN7G02FE(TE85L,F)

廠家:
  Toshiba
封裝:
 ES-6
數量:
 9091  
說明:
 兩極晶體管 - BJT Vceo=-50V Vds20V Ic=-100ma Id=50mA
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HN7G02FE(TE85L,F) PDF參數資料

中文參數如下:

工廠包裝數量:4000
包裝形式:Reel
最大功率耗散:100 mW
直流電流增益 hFE 最大值:400
集電極連續電流:- 100 mA
封裝形式:ES-6
安裝風格:Through Hole
直流集電極/Base Gain hfe Min:120
發射極 - 基極電壓 VEBO:- 5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 50 V
集電極—基極電壓 VCBO:- 50 V
晶體管極性:PNP
配置:Dual
RoHS:是
產品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Toshiba

以上是HN7G02FE(TE85L,F)的詳細信息,包括HN7G02FE(TE85L,F)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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