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HN7G09FE(TE85L,F)

廠家:
  Toshiba
封裝:
 ES-6
數量:
 9185  
說明:
 兩極晶體管 - BJT Vceo=50V Vds=30V Ic=100mA Id=100mA
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HN7G09FE(TE85L,F) PDF參數資料

中文參數如下:

工廠包裝數量:4000
包裝形式:Reel
最大功率耗散:100 mW
集電極連續電流:100 mA
封裝形式:ES-6
安裝風格:SMD/SMT
直流集電極/Base Gain hfe Min:80
增益帶寬產品fT:250 MHz
發射極 - 基極電壓 VEBO:10 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V
集電極—基極電壓 VCBO:50 V
晶體管極性:NPN
配置:Dual
RoHS:是
產品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Toshiba

以上是HN7G09FE(TE85L,F)的詳細信息,包括HN7G09FE(TE85L,F)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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