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HN7G04FU-A(TE85L,F

廠家:
  Toshiba
封裝:
 ES-6
數(shù)量:
 5148  
說明:
 兩極晶體管 - BJT Vceo=-12V Vceo=50V 10K x 47Kohms
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HN7G04FU-A(TE85L,F PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:3000
包裝形式:Reel
最大功率耗散:200 mW
直流電流增益 hFE 最大值:1000
集電極連續(xù)電流:- 400 mA
封裝形式:ES-6
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
直流集電極/Base Gain hfe Min:300
增益帶寬產(chǎn)品fT:130 MHz
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 12 V
集電極—基極電壓 VCBO:- 15 V
晶體管極性:PNP
配置:Dual
RoHS:是
產(chǎn)品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Toshiba

以上是HN7G04FU-A(TE85L,F的詳細(xì)信息,包括HN7G04FU-A(TE85L,F廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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