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HN7G08FE-A(TE85L,F

廠家：
  Toshiba
封裝：
 ES-6
數量：
 9180  
說明：
 兩極晶體管 - BJT Vceo=-12V Vceo=50V Ic=-400mA IC=100mA
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HN7G08FE-A(TE85L,F PDF參數資料

中文參數如下：

工廠包裝數量：4000
包裝形式：Reel
最大功率耗散：100 mW
直流電流增益 hFE 最大值：1000
集電極連續電流：- 400 mA
封裝形式：ES-6
安裝風格：Through Hole
直流集電極/Base Gain hfe Min：300
增益帶寬產品fT：130 MHz
發射極 - 基極電壓 VEBO：- 5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：- 12 V
集電極—基極電壓 VCBO：- 15 V
晶體管極性：PNP
配置：Dual
RoHS：是
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Toshiba

以上是HN7G08FE-A(TE85L,F的詳細信息，包括HN7G08FE-A(TE85L,F廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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