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HN7G08FE-A(TE85L,F

廠家:
  Toshiba
封裝:
 ES-6
數量:
 9180  
說明:
 兩極晶體管 - BJT Vceo=-12V Vceo=50V Ic=-400mA IC=100mA
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HN7G08FE-A(TE85L,F PDF參數資料

中文參數如下:

工廠包裝數量:4000
包裝形式:Reel
最大功率耗散:100 mW
直流電流增益 hFE 最大值:1000
集電極連續電流:- 400 mA
封裝形式:ES-6
安裝風格:Through Hole
直流集電極/Base Gain hfe Min:300
增益帶寬產品fT:130 MHz
發射極 - 基極電壓 VEBO:- 5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 12 V
集電極—基極電壓 VCBO:- 15 V
晶體管極性:PNP
配置:Dual
RoHS:是
產品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Toshiba

以上是HN7G08FE-A(TE85L,F的詳細信息,包括HN7G08FE-A(TE85L,F廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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