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ZXMN6A09DN8TA

廠家：: Diodes Inc. / Zetex
封裝：: 8-SO
數量：: 18322
說明：: MOSFET Dl 60V N-Chnl UMOS

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ZXMN6A09DN8TA PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：25.3 ns
工廠包裝數量：500
上升時間：5 ns
功率耗散：2.1 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：4.6 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.04 Ohms
漏極連續電流：5.1 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

以上是ZXMN6A09DN8TA的詳細信息，包括ZXMN6A09DN8TA廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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