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ZXMN6A09DN8TC

廠家:
  Diodes Inc. / Zetex
封裝:
 8-SO
數(shù)量:
 3699  
說明:
 MOSFET 60V N-Chan
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ZXMN6A09DN8TC-8-SO圖片

ZXMN6A09DN8TC PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:25.3 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
上升時間:5 ns
功率耗散:1.25 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:5 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SO-8
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.04 Ohms
漏極連續(xù)電流:5.1 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:60 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Diodes Inc.

以上是ZXMN6A09DN8TC的詳細(xì)信息,包括ZXMN6A09DN8TC廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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