色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > ZXMN6A09GTA

ZXMN6A09GTA

廠家：: Diodes Inc. / Zetex
封裝：: SOT-223-3
數量：: 3708
說明：: MOSFET N-Ch 60V 7.5A

一、本商品被瀏覽0次.

ZXMN6A09GTA PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

典型關閉延遲時間：25.3 ns
工廠包裝數量：1000
上升時間：5 ns
功率耗散：3.9 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：4.6 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-223
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.04 Ohms
漏極連續電流：7.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

以上是ZXMN6A09GTA的詳細信息，包括ZXMN6A09GTA廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ