色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > TPW2R508NH,L1Q

TPW2R508NH,L1Q

廠家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：: 8-DSOP Advance
數(shù)量：: 3240
說(shuō)明：: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DOS

一、本商品被瀏覽0次.

TPW2R508NH,L1Q PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
：150°C
功率耗散（最大值）：800mW（Ta），142W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：6000 pF @ 37.5 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：72 nC @ 10 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：2.5 毫歐 @ 50A，10V
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：150A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：75 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：U-MOSVIII-H
系列：卷帶（TR）
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是TPW2R508NH,L1Q的詳細(xì)信息，包括TPW2R508NH,L1Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

IAUC120N04S6N013ATMA1