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TPW5200FNH,L1Q

廠家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：: 8-DSOP Advance
數量：: 3348
說明：: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO

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TPW5200FNH,L1Q PDF參數資料

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中文參數如下：
：150°C
功率耗散（最大值）：800mW（Ta），142W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2200 pF @ 100 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：22 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：52 毫歐 @ 13A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：26A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：250 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：在售
包裝：U-MOSVIII-H
系列：卷帶（TR）
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是TPW5200FNH,L1Q的詳細信息，包括TPW5200FNH,L1Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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