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TPW3R70APL,L1Q

廠家:
  Toshiba Semiconductor and Storage
封裝:
 8-DSOP Advance
數量:
 3303  
說明:
 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
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TPW3R70APL,L1Q PDF參數資料

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中文參數如下:
:175°C
功率耗散(最大值):960mW(Ta),170W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):6300 pF @ 50 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):67 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):3.7mOhm @ 45A,10V
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):90A(Tc)
漏源電壓(Vdss):100 V
技術:MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產品狀態:在售
包裝:U-MOSIX-H
系列:卷帶(TR)
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

以上是TPW3R70APL,L1Q的詳細信息,包括TPW3R70APL,L1Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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