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SUD50N04-8M8P-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-252AA
數量：: 1062
說明：: MOSFET 40V 50A 48.1W 8.8mohm @ 10V

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SUD50N04-8M8P-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：45 ns
上升時間：15 ns
功率耗散：3.1 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：15 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252AA
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0088 Ohms
漏極連續電流：14 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：40 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SUD50N04-8M8P-GE3的詳細信息，包括SUD50N04-8M8P-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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