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SUD50N10-18P-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
數量:
 6786  
說明:
 MOSFET N-CH 100V DPAK
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SUD50N10-18P-GE3-TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63圖片

SUD50N10-18P-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下:

FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點:標準型
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:18.5 毫歐 @ 15A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):100V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:50A
Id 時的 Vgs(th)(最大):5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs:75nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :2600pF @ 50V
功率 - 最大:2.5W
安裝類型:表面貼裝

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