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SUD50N10-18P-E3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
數量:
 2835  
說明:
 MOSFET 100V 50A 136.4W 18.5mohm @ 10V
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SUD50N10-18P-E3 PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:18 ns
工廠包裝數量:2000
上升時間:10 ns
功率耗散:136.4 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:8 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-252-3
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):18.5 mOhms
漏極連續電流:50 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:100 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SUD50N10-18P-E3的詳細信息,包括SUD50N10-18P-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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