色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > IGBT 晶體管 > STGWT40V60DF

STGWT40V60DF

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: TO-3P
數量：: 6867
說明：: IGBT 600V 80A 283W TO3P-3

一、本商品被瀏覽0次.

STGWT40V60DF PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
封裝封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3
安裝類型：通孔
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
反向恢復時間 (trr)：41 ns
測試條件：400V，40A，10 歐姆，15V
25°C 時 Td（開/關）值：52ns/208ns
柵極電荷：226 nC
輸入類型：標準
開關能量：456μJ（開），411μJ（關）
功率 - 最大值：283 W
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，40A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：160 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：80 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V
IGBT 類型：溝槽型場截止
產品狀態：停產
包裝：-
系列：管件
品牌：STMicroelectronics

以上是STGWT40V60DF的詳細信息，包括STGWT40V60DF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET 開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

IGBT 晶體管最新產品：