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STGWT60H65DFB

廠家:
  STMicroelectronics
封裝:
 TO-3P
數量:
 6993  
說明:
 IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L
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STGWT60H65DFB-TO-3P圖片

STGWT60H65DFB PDF參數資料

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中文參數如下:
封裝封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3
安裝類型:通孔
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
反向恢復時間 (trr):60 ns
測試條件:400V,60A,5 歐姆,15V
25°C 時 Td(開/關)值:51ns/160ns
柵極電荷:306 nC
輸入類型:標準
開關能量:1.09mJ(開),626μJ(關)
功率 - 最大值:375 W
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):2V @ 15V,60A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):240 A
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):80 A
電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V
IGBT 類型:溝槽型場截止
產品狀態:在售
包裝:-
系列:管件
品牌:STMicroelectronics

以上是STGWT60H65DFB的詳細信息,包括STGWT60H65DFB廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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