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STGWT80H65DFB

廠家:
  STMicroelectronics
封裝:
 TO-3P
數(shù)量:
 8037  
說明:
 IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
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STGWT80H65DFB-TO-3P圖片

STGWT80H65DFB PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
封裝封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3
安裝類型:通孔
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):85 ns
測試條件:400V,80A,10 歐姆,15V
25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:84ns/280ns
柵極電荷:414 nC
輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
開關(guān)能量:2.1mJ(開),1.5mJ(關(guān))
功率 - 最大值:469 W
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):2V @ 15V,80A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):240 A
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):120 A
電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V
IGBT 類型:溝槽型場截止
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:管件
品牌:STMicroelectronics

以上是STGWT80H65DFB的詳細(xì)信息,包括STGWT80H65DFB廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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