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SQJ444EP-T1_GE3

廠家:
  Vishay Siliconix
封裝:
 PowerPAK? SO-8
數(shù)量:
 3510  
說(shuō)明:
 MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
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SQJ444EP-T1_GE3-PowerPAK? SO-8圖片

SQJ444EP-T1_GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
:-55°C ~ 175°C(TJ)
功率耗散(最大值):68W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):5000 pF @ 25 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):80 nC @ 10 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):3.2 毫歐 @ 10A,10V
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):60A(Tc)
漏源電壓(Vdss):40 V
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
FET 類(lèi)型:N 通道
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌:Vishay Siliconix

以上是SQJ444EP-T1_GE3的詳細(xì)信息,包括SQJ444EP-T1_GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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