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SQJ456EP-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 PowerPAK SO-8L
數(shù)量:
 2349  
說明:
 MOSFET 100V 32A 83W N-Ch Automotive
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SQJ456EP-T1-GE3-PowerPAK SO-8L圖片

SQJ456EP-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號別名:SQJ456EP-GE3
功率耗散:83 W
包裝形式:Reel
封裝形式:PowerPAK SO-8L
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.026 Ohms
漏極連續(xù)電流:32 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SQJ456EP-T1-GE3的詳細信息,包括SQJ456EP-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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