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SQJ446EP-T1_BE3

廠家:
  Vishay Siliconix
封裝:
 PowerPAK? SO-8 雙
數量:
 4356  
說明:
 N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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SQJ446EP-T1_BE3-PowerPAK? SO-8 雙圖片

SQJ446EP-T1_BE3 PDF參數資料

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中文參數如下:
:-55°C ~ 175°C(TJ)
功率耗散(最大值):46W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):4220 pF @ 20 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):65 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):5 毫歐 @ 14A,10V
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):60A(Tc)
漏源電壓(Vdss):40 V
技術:MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產品狀態:在售
包裝:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌:Vishay Siliconix

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