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SQ3418EEV-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 6-TSOP
數量：: 4320
說明：: MOSFET 40V 8A 5W N-Ch Automotive

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SQ3418EEV-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：SQ3418EEV-GE3
典型關閉延遲時間：15 nS
上升時間：8 nS
功率耗散：5 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：7.1 nC
下降時間：7 nS
包裝形式：Reel
封裝形式：TSOP-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.032 Ohms at 10 V
漏極連續電流：8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：40 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SQ3418EEV-T1-GE3的詳細信息，包括SQ3418EEV-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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