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SQ3418EEV-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 6-TSOP
數量:
 4320  
說明:
 MOSFET 40V 8A 5W N-Ch Automotive
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SQ3418EEV-T1-GE3-6-TSOP圖片

SQ3418EEV-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:SQ3418EEV-GE3
典型關閉延遲時間:15 nS
上升時間:8 nS
功率耗散:5 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:7.1 nC
下降時間:7 nS
包裝形式:Reel
封裝形式:TSOP-6
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.032 Ohms at 10 V
漏極連續電流:8 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:40 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SQ3418EEV-T1-GE3的詳細信息,包括SQ3418EEV-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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