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中文參數如下:
零件號別名:SQ3426EEV-GE3
功率耗散:5 W
包裝形式:Reel
封裝形式:TSOP-6
安裝風格:SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.042 Ohms
漏極連續電流:7 A
閘/源擊穿電壓:2.5 V
汲極/源極擊穿電壓:60 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay
以上是SQ3426EEV-T1-GE3的詳細信息,包括SQ3426EEV-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!