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SQ3460EV-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TSOP-6
數量：: 4613
說明：: MOSFET 20V 8A 3.6W N-Ch Automotive

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SQ3460EV-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：SQ3460EV-GE3
典型關閉延遲時間：21 nS
上升時間：8 nS
功率耗散：3.6 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：9.3 nC
下降時間：8 nS
包裝形式：Reel
封裝形式：TSOP-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.03 Ohms at 4.5 V
漏極連續電流：8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SQ3460EV-T1-GE3的詳細信息，包括SQ3460EV-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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