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SISA12DN-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 PowerPAK 1212-8
數(shù)量:
 3492  
說明:
 MOSFET 30V 25A 28W 4.3mohm @ 10V
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SISA12DN-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號別名:SISA12DN-GE3
功率耗散:28 W
包裝形式:Reel
封裝形式:PowerPAK 1212-8
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):4.3 mOhms
漏極連續(xù)電流:25 A
閘/源擊穿電壓:2.2 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SISA12DN-T1-GE3的詳細(xì)信息,包括SISA12DN-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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