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SISA18DN-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 PowerPAK? 1212-8
數(shù)量:
 3519  
說(shuō)明:
 MOSFET 30V 38.3A 19.8W 7.5mohm @ 10V G4
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SISA18DN-T1-GE3-PowerPAK? 1212-8圖片

SISA18DN-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:30 ns
商標(biāo)名:TrenchFET Gen IV
上升時(shí)間:20 ns
功率耗散:19.8 W
柵極電荷 Qg:6.9 nC
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :54 S
下降時(shí)間:14 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:PowerPAK 1212-8
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.0075 Ohms
漏極連續(xù)電流:38.3 A
閘/源擊穿電壓:2.4 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SISA18DN-T1-GE3的詳細(xì)信息,包括SISA18DN-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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