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SIHB12N60ET5-GE3

廠家:
  Vishay Siliconix
封裝:
 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
數量:
 2844  
說明:
 MOSFET N-CH 600V 12A TO263
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SIHB12N60ET5-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下:
封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
封裝/外殼:D2PAK(TO-263)
安裝類型:表面貼裝型
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
同步整流器:147W(Tc)
頻率 - 開關:-
電流 - 輸出:937 pF @ 100 V
電壓 - 輸出(最大值):±30V
電壓 - 輸出(最小值/固定):58 nC @ 10 V
電壓 - 輸入(最大值):4V @ 250μA
電壓 - 輸入(最小值):380 毫歐 @ 6A,10V
輸出數:10V
輸出類型:12A(Tc)
拓撲:600 V
輸出配置:MOSFET(金屬氧化物)
功能:N 通道
產品狀態:在售
包裝:E
系列:散裝
品牌:Vishay Siliconix

以上是SIHB12N60ET5-GE3的詳細信息,包括SIHB12N60ET5-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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