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SIHB30N60E-E3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 D2PAK(TO-263)
數量:
 4554  
說明:
 MOSFET N-Channel 600V
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SIHB30N60E-E3-D2PAK(TO-263)圖片

SIHB30N60E-E3 PDF參數資料

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中文參數如下:

功率耗散:250 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:85 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :5.4 S
包裝形式:Tube
封裝形式:D2PAK-3
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):125 mOhms
漏極連續電流:29 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIHB30N60E-E3的詳細信息,包括SIHB30N60E-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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