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SIA911EDJ-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? SC-70-6 雙
數量：: 1719
說明：: MOSFET 20V 4.5A 7.8W 101mohm @ 4.5V

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SIA911EDJ-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：SIA911EDJ-GE3
典型關閉延遲時間：700 ns, 990 ns
工廠包裝數量：3000
上升時間：200 ns, 70 ns
功率耗散：1900 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：200 ns, 70 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK SC-70-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：101 mOhms at 4.5 V
漏極連續電流：3.6 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIA911EDJ-T1-GE3的詳細信息，包括SIA911EDJ-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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