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SIA911EDJ-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 PowerPAK? SC-70-6 雙
數量:
 1719  
說明:
 MOSFET 20V 4.5A 7.8W 101mohm @ 4.5V
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SIA911EDJ-T1-GE3-PowerPAK? SC-70-6 雙圖片

SIA911EDJ-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:SIA911EDJ-GE3
典型關閉延遲時間:700 ns, 990 ns
工廠包裝數量:3000
上升時間:200 ns, 70 ns
功率耗散:1900 mW
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:200 ns, 70 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:PowerPAK SC-70-6
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS(導通):101 mOhms at 4.5 V
漏極連續電流:3.6 A
閘/源擊穿電壓:+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIA911EDJ-T1-GE3的詳細信息,包括SIA911EDJ-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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