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SIA415DJ-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? SC-70-6
數量：: 1332
說明：: MOSFET 20V 12A 19W 35mohm @ 4.5V

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SIA415DJ-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：SIA415DJ-GE3
典型關閉延遲時間：45 ns
工廠包裝數量：3000
上升時間：50 ns
功率耗散：19 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：20 S
下降時間：20 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK SC-70-6L
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：35 mOhms
漏極連續電流：12 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIA415DJ-T1-GE3的詳細信息，包括SIA415DJ-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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