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SIA426DJ-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 PowerPAK? SC-70-6
數量:
 1440  
說明:
 MOSFET 20V 4.5A 19W 23.6mohm @ 10V
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SIA426DJ-T1-GE3-PowerPAK? SC-70-6圖片

SIA426DJ-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:SIA426DJ-GE3
典型關閉延遲時間:27 ns
工廠包裝數量:3000
上升時間:11 ns
功率耗散:3.5 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:11 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:PowerPAK SC-70-6L
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Dual Source
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.0236 Ohms
漏極連續電流:4.5 A
閘/源擊穿電壓:+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIA426DJ-T1-GE3的詳細信息,包括SIA426DJ-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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