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SIA416DJ-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? SC-70-6
數(shù)量：: 11187
說明：: MOSFET 100V 83mOhm@10V 11.3A N-Ch MV T-FET

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SIA416DJ-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

商標名：TrenchFET Power MOSFET
功率耗散：19 W
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK SC-70-6L Single
安裝風格：SMD/SMT
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：83 mOhms at 10 V
漏極連續(xù)電流：11.3 A
閘/源擊穿電壓：3 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIA416DJ-T1-GE3的詳細信息，包括SIA416DJ-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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