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SI8800EDB-T2-E1

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 4-XFBGA，CSPBGA
數量：: 1134
說明：: MOSFET 20Volt N-Channel Micro Foot-4

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SI8800EDB-T2-E1 PDF參數資料

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中文參數如下：

功率耗散：900 mW
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：5.5 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：10 S
包裝形式：Reel
封裝形式：Micro Foot-4
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 125 C
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.095 Ohms
漏極連續電流：2.8 A
閘/源擊穿電壓：8 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

以上是SI8800EDB-T2-E1的詳細信息，包括SI8800EDB-T2-E1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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