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SI8809EDB-T2-E1

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 4-Microfoot
數(shù)量：
 6417  
說明：
 MOSFET 20V 2.6A 0.9W 90mOhms @ 4.5V
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SI8809EDB-T2-E1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

功率耗散：900 mW
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：Micro Foot-4
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.09 Ohms at - 4.5 V
漏極連續(xù)電流：- 2.6 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI8809EDB-T2-E1的詳細(xì)信息，包括SI8809EDB-T2-E1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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