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SI8806DB-T2-E1

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 4-XFBGA
數(shù)量:
 6399  
說(shuō)明:
 MOSFET 12V 3.9A 0.9W 4.3mOhms @ 4.5V
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SI8806DB-T2-E1-4-XFBGA圖片

SI8806DB-T2-E1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:30 ns
商標(biāo)名:MICROFOOT TrenchFET
上升時(shí)間:20 ns
功率耗散:0.3 W to 0.9 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:6.5 nC
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :16 S
下降時(shí)間:12 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:Micro Foot-1
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.035 Ohms
漏極連續(xù)電流:0.7 A
閘/源擊穿電壓:8 V
汲極/源極擊穿電壓:12 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI8806DB-T2-E1的詳細(xì)信息,包括SI8806DB-T2-E1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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