色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > SI4925DDY-T1-GE3

SI4925DDY-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 8-SOIC
數量：: 1332
說明：: MOSFET 30V 8.0A 5.0W 29mohm @ 10V

一、本商品被瀏覽0次.

SI4925DDY-T1-GE3 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

零件號別名：SI4925DDY-GE3
典型關閉延遲時間：45 ns, 40 ns
工廠包裝數量：2500
上升時間：8 ns, 35 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：12 ns, 16 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.029 Ohms
漏極連續電流：7.3 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：- 30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4925DDY-T1-GE3的詳細信息，包括SI4925DDY-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ