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SI4926DY

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: SOIC-8 Narrow
數量：: 6480
說明：: MOSFET 30V 6.3/10.5A

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SI4926DY PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：26 ns at Channel 1, 37 ns at Channel 2
工廠包裝數量：100
上升時間：5 ns at Channel 1, 10 ns at Channel 2
功率耗散：1 W, 1.25 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：5 ns at Channel 1, 10 ns at Channel 2
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：22 mOhms, 12.5 mOhms
漏極連續電流：5.3 A, 7.5 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Vishay

以上是SI4926DY的詳細信息，包括SI4926DY廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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