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SI4931DY-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 8-SOIC
數(shù)量：: 6627
說明：: MOSFET 12V 8.9A 2.0W 18mohm @ 4.5V

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SI4931DY-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SI4931DY-GE3
典型關(guān)閉延遲時間：230 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
功率耗散：1.1 W
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：18 mOhms
漏極連續(xù)電流：6.7 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：12 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4931DY-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SI4931DY-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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