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SI4925BDY

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 SOIC-8 Narrow
數量：
 6426  
說明：
 MOSFET 30V 7.1A 2W
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SI4925BDY PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：60 ns
商標名：TrenchFET
工廠包裝數量：100
上升時間：12 ns
功率耗散：1.1 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：34 ns
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：25 mOhms
漏極連續電流：5.3 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：否
制造商：Vishay

以上是SI4925BDY的詳細信息，包括SI4925BDY廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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