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SI4923DY-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 8-SOIC
數量:
 1305  
說明:
 MOSFET 30V 8.3A 2.0W 21mohm @ 10V
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SI4923DY-T1-GE3-8-SOIC圖片

SI4923DY-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:SI4923DY-GE3
工廠包裝數量:2500
功率耗散:1.1 W
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8 Narrow
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):21 mOhms
漏極連續電流:6.2 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI4923DY-T1-GE3的詳細信息,包括SI4923DY-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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