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SI1965DH-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 SC-70-6
數量:
 6408  
說明:
 MOSFET 12V 1.3A 1.25W 390mohm @ 4.5V
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SI1965DH-T1-GE3-SC-70-6圖片

SI1965DH-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:SI1965DH-GE3
功率耗散:740 mW
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:SC-70-6
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.39 Ohms
漏極連續電流:1.14 A
閘/源擊穿電壓:+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓:12 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI1965DH-T1-GE3的詳細信息,包括SI1965DH-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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