色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

<sub id="fzxtw"></sub>

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > SI1988DH-T1-GE3

SI1988DH-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: SC-70-6
數量：: 6462
說明：: MOSFET N-CH 20V DUAL SC-70-6

一、本商品被瀏覽0次.

SI1988DH-T1-GE3 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

FET 型：2 個 N 溝道（雙）
FET 特點：邏輯電平門
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：168 毫歐 @ 1.4A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss)：20V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：1.3A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：4.1nC @ 8V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：110pF @ 10V
功率 - 最大：1.25W
安裝類型：表面貼裝

以上是SI1988DH-T1-GE3的詳細信息，包括SI1988DH-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ