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SI1967DH-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: SC-70-6
數量：: 6417
說明：: MOSFET 20V 1.3A DUAL P-CH MOSFET

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SI1967DH-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：SI1967DH-GE3
功率耗散：1.25 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：2.6 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：2 S
包裝形式：Reel
封裝形式：SC-70-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.49 Ohms
漏極連續電流：1.3 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

以上是SI1967DH-T1-GE3的詳細信息，包括SI1967DH-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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