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SI1901DL-T1

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: SOT-363
數量：: 306
說明：: MOSFET 20V 0.18A

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SI1901DL-T1 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：19 ns
工廠包裝數量：3000
上升時間：25 ns
功率耗散：0.2 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：25 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-363
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：3.8 Ohms
漏極連續電流：- 180 mA
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：否
制造商：Vishay

以上是SI1901DL-T1的詳細信息，包括SI1901DL-T1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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