色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

SI1905DL-T1

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 SOT-363-6
數量:
 414  
說明:
 MOSFET 8V 0.6A
掃一掃加微信詢價 QQ咨詢價格   在線詢價
一、本商品被瀏覽0次.   
暫無電子元件圖

SI1905DL-T1 PDF參數資料

PDF點擊下載PDF參數資料
中文參數如下:

典型關閉延遲時間:10 ns
商標名:TrenchFET
工廠包裝數量:3000
上升時間:25 ns
功率耗散:270 mW
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:25 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOT-363-6
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.6 Ohms
漏極連續電流:0.6 A
閘/源擊穿電壓:+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓:8 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:否
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI1905DL-T1的詳細信息,包括SI1905DL-T1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

相近型號推薦

IC電子元件郵購步驟

最新產品列表 IC
主站蜘蛛池模板: 个旧市| 新巴尔虎右旗| 绥宁县| 石林| 米脂县| 中方县| 会同县| 拉萨市| 新丰县| 博湖县| 东源县| 文山县| 安西县| 长沙县| 广宁县| 抚远县| 绥芬河市| 新乐市| 松潘县| 南澳县| 尼木县| 天峻县| 唐海县| 英山县| 胶南市| 攀枝花市| 旺苍县| 三明市| 上饶市| 仲巴县| 万荣县| 体育| 达尔| 莫力| 姜堰市| 虞城县| 平定县| 青龙| 衢州市| 黎城县| 昌宁县|