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SI1905DL-T1

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 SOT-363-6
數量:
 414  
說明:
 MOSFET 8V 0.6A
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SI1905DL-T1 PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:10 ns
商標名:TrenchFET
工廠包裝數量:3000
上升時間:25 ns
功率耗散:270 mW
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:25 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOT-363-6
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.6 Ohms
漏極連續電流:0.6 A
閘/源擊穿電壓:+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓:8 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:否
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI1905DL-T1的詳細信息,包括SI1905DL-T1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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