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SI1902DL-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 SC-70-6
數(shù)量:
 12649  
說明:
 MOSFET N-CH G-S 20V DUAL SC-70-6
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SI1902DL-T1-GE3-SC-70-6圖片

SI1902DL-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

FET 型:2 個 N 溝道(雙)
FET 特點:邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:385 毫歐 @ 660ma, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss):20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:660mA
Id 時的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs:1.2nC @ 4.5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :-
功率 - 最大:270mW
安裝類型:表面貼裝

以上是SI1902DL-T1-GE3的詳細信息,包括SI1902DL-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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