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SI1865DL-T1

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 SOT-363-6
數(shù)量:
 6237  
說明:
 MOSFET 1.8-8V 1.2A
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SI1865DL-T1-SOT-363-6圖片

SI1865DL-T1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

商標(biāo)名:TrenchFET
工廠包裝數(shù)量:3000
功率耗散:400 mW
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:SOT-363-6
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.215 Ohms
漏極連續(xù)電流:1.2 A
汲極/源極擊穿電壓:8 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:否
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI1865DL-T1的詳細(xì)信息,包括SI1865DL-T1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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