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RGW60TS65EHRC11

廠家:
  Rohm Semiconductor
封裝:
 TO-247N
數(shù)量:
 567  
說明:
 IGBT TRNCH FIELD 650V 64A TO247N
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RGW60TS65EHRC11 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
封裝封裝/外殼:TO-247-3
安裝類型:通孔
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):146 ns
測(cè)試條件:400V,15A,10 歐姆,15V
25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:37ns/101ns
柵極電荷:84 nC
輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
開關(guān)能量:-
功率 - 最大值:178 W
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,30A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):120 A
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):64 A
電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V
IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:管件
品牌:Rohm Semiconductor

以上是RGW60TS65EHRC11的詳細(xì)信息,包括RGW60TS65EHRC11廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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